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João Antonio Martino
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João Antonio MartinoProfessores

Unidade: POLI-USP, Escola Politécnica
E-mail: martino@lsi.usp.br
Telefone: +55 11 3091-5657
Currículo Lattes: http://lattes.cnpq.br/1029892667445223

Perfil

Graduado em Engenharia Eletrônica pelo Centro Universitário da FEI em 1981, Mestrado(1984), Doutorado(1988) e Livre-Docência(1998) em Engenharia Elétrica (Microeletrônica) pela Escola Politécnica da Universidade de São Paulo. O pós-doutorado foi realizado em cooperação entre o IMEC (Interuniversity Microelectronic Center) na Universidade Católica de Leuven, Bélgica e a Universidade de São Paulo. Foi Professor Titular, Chefe do Departamento de Engenharia Elétrica e Coordenador dos Cursos de Engenharia Elétrica (Ênfases Eletrônica, Computadores e Telecomunicações) do Centro Universitário da FEI no período de 1996 a 2005. Implantou e coordenou do curso de pós-graduação do programa de Engenharia Elétrica da FEI no período de 2005 a 2006. É Professor da Escola Politécnica desde 1992 e foi aprovado em primeiro lugar no concurso de Professor Titular do Departamento de Engenharia de Sistemas Eletrônicos (PSI) da Escola Politécnica da Universidade de São Paulo (EPUSP) em 2005. É atualmente Chefe do Depto PSI/EPUSP (2011-2013) e foi anteriormente Chefe do Depto PSI/EPUSP (2009-2011) e Vice-Chefe (2007-2009). Foi Professor convidado da Universidade Católica de Leuven, Bélgica em 2003 e 2008. O seu campo de pesquisa em circuitos integrados inclui fabricação, caracterização elétrica e modelagem de dispositivos obtidos pelas tecnologias NMOS, CMOS e SOI CMOS com ênfase em transistores SOI avançados planares e de múltiplas portas (FinFET). Introduziu o estudo de dispositivos SOI no Brasil desde 1990, incluindo a proposta/fabricação de um novo transistor SOI (GC SOI MOSFET) para aplicações analógicas, seu estudo em altas e baixas temperaturas e seu uso em amplificadores operacionais. Coordenou e participou da equipe que fabricou o primeiro transistor 3D (FinFET) no Brasil em 2012. Na caracterização elétrica é dada ênfase especial ao estudo de dispositivos SOI em função da temperatura (80K a 600K) e sob a influência de radiação. Recentemente tem também estudado células de memória DRAM composta por um único transistor SOI (UTBB e 3D) e transistores de tunelamento (TFETs). É autor/editor de 6 livros. É autor e co-autor de mais de 240 artigos completos apresentados em congressos e mais de 80 artigos completos publicados em revistas. Concluiu a orientação de 33 alunos de pós-graduação, sendo 21 mestrados e 12 doutorados. É Senior Member do IEEE e Presidente do Capítulo da Electron Devices Society (EDS) do IEEE da Seção Sul-Brasil desde 2007. Tornou-se Distinguished Lecturer da EDS-IEEE desde fevereiro de 2008. É pesquisador Nível 1A do CNPq

Projetos de Pesquisa

Última atualização em 2013-06-05 17:54:00